一种稀土离子发射截面的计算方法
文献类型:期刊论文
作者 | 李毛和; 胡和方; 祁长鸿 |
刊名 | 光学学报
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出版日期 | 2001 |
卷号 | 21期号:5页码:626 |
中文摘要 | 介绍一种将McCumber理论和Judd Oflet理论结合起来计算稀土离子从激发态跃迁回基态的发射截面的方法 ,这种方法非常简单 ,只需要测量离子的吸收光谱。计算了氟化物玻璃中稀土离子Tm3+ 、Yb3+ 和Er3+ 第一激发态的发射截面 ,其结果表明这种方法是很实用的。 |
收录类别 | EI |
语种 | 中文 |
版本 | 出版稿 |
源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17376] ![]() |
专题 | 上海光学精密机械研究所_高功率激光单元技术研发中心 |
作者单位 | 1.李毛和, 上海交通大学光纤技术研究所, 上海 200030, 中国. 2.胡和方, 中科院上海光学精密机械所, 上海 201800, 中国. 3.祁长鸿, 中科院上海光学精密机械所, 上海 201800, 中国. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李毛和,胡和方,祁长鸿. 一种稀土离子发射截面的计算方法[J]. 光学学报,2001,21(5):626. |
APA | 李毛和,胡和方,&祁长鸿.(2001).一种稀土离子发射截面的计算方法.光学学报,21(5),626. |
MLA | 李毛和,et al."一种稀土离子发射截面的计算方法".光学学报 21.5(2001):626. |
入库方式: OAI收割
来源:上海光学精密机械研究所
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