Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究
文献类型:期刊论文
作者 | 顾四朋; 侯立松; 曾贤成; 赵启涛 |
刊名 | 光学仪器
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出版日期 | 2001 |
期号 | Z1页码:23 |
中文摘要 | 研究了单层 Ge- Sb- Te- O射频溅射薄膜在 40 0 nm~ 80 0 nm区域的光学常数 ( N,K)和反射、透射光谱 ,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度 ,因此 ,可以通过氧掺杂改良 Ge- Sb- Te相变材料的光存储性能 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
版本 | 出版稿 |
源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17428] ![]() |
专题 | 上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾四朋,侯立松,曾贤成,等. Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究[J]. 光学仪器,2001(Z1):23. |
APA | 顾四朋,侯立松,曾贤成,&赵启涛.(2001).Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究.光学仪器(Z1),23. |
MLA | 顾四朋,et al."Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究".光学仪器 .Z1(2001):23. |
入库方式: OAI收割
来源:上海光学精密机械研究所
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