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Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究

文献类型:期刊论文

作者顾四朋; 侯立松; 曾贤成; 赵启涛
刊名光学仪器
出版日期2001
期号Z1页码:23
中文摘要研究了单层 Ge- Sb- Te- O射频溅射薄膜在 40 0 nm~ 80 0 nm区域的光学常数 ( N,K)和反射、透射光谱 ,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度 ,因此 ,可以通过氧掺杂改良 Ge- Sb- Te相变材料的光存储性能
收录类别CSCD
语种中文
版本出版稿
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17428]  
专题上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
顾四朋,侯立松,曾贤成,等. Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究[J]. 光学仪器,2001(Z1):23.
APA 顾四朋,侯立松,曾贤成,&赵启涛.(2001).Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究.光学仪器(Z1),23.
MLA 顾四朋,et al."Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究".光学仪器 .Z1(2001):23.

入库方式: OAI收割

来源:上海光学精密机械研究所

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