Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 顾四朋; 侯立松 |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 17期号:6页码:1258 |
| 其他题名 | Crystallization Kinetics of Ge-Sb-Te-O Phase-Change Thin Films |
| 中文摘要 | 用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜，由热处理前后薄膜的X射线衍射（XRD）发现，热处理使薄膜发生了从非晶态的相变。通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热（DSC）实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度，并计算了材料的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子。根据结晶动力学结晶活化能E判据得出结论为：与Ge-Sb-Te相比，掺杂氧后的Ge-Sb-Te更容易析晶，具有更快的结晶速率。 |
| 英文摘要 | Ge-Sb-Te and Ge-Sb-Te-O thin films were prepared by rF-sputtering. XRD spectra of the films in as-deposited and heat-treated states how that the films hanged from amorphous to crystalline states due to heat-treatment. By using DSC data of the amorphous film materials, measuring the peak temperature of cyrstallization at different heating rates, the activation energies and frequency factors were calculated. The experimental results show that sample Ge-Sb-Te-O has a higher value of activation energy than sample Ge-Sb-Te, so oxygen-doping can improve the crystallization rate of Ge-Sb-Te phase-change material. |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 中文 |
| WOS记录号 | WOS:000179499800029 |
| 版本 | 出版稿 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17799]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室 |
| 作者单位 | 1.顾四朋, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 2.侯立松, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾四朋,侯立松. Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究[J]. 无机材料学报,2002,17(6):1258. |
| APA | 顾四朋,&侯立松.(2002).Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究.无机材料学报,17(6),1258. |
| MLA | 顾四朋,et al."Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究".无机材料学报 17.6(2002):1258. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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