掺杂氧的Ge-Sb-Te相变薄膜的光学性质
文献类型:期刊论文
作者 | 顾四朋; 侯立松; 刘波; 陈静 |
刊名 | 光学学报
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出版日期 | 2002 |
卷号 | 22期号:9页码:1137 |
其他题名 | Optical Properties of Oxygen-Doped Ge-Sb-Te Phase-Change Films |
中文摘要 | 研究了氧掺入Ge-Sb-Te射频溅射相变薄膜在400 nm~800 nm区域的光学常数(n,k)和反射、透射光谱,发现适光的氧掺入能大大增加退火前后反射率对比度,因此可通过氧掺入改良Ge-Sb-Te相变材料的光存储性能。 |
英文摘要 | Optical properties of monolayer oxygen-doped Ge-Sb-Te thin films prepared by RF-sputtering method were studied in the region of 400 nm~800 nm, including refractive index, extinction coefficient, reflection and transmission spectra. The results indicated that larger reflectivity contrast can be achieved by appropriate doping of oxygen, thus the recording properties of the Ge-Sb-Te film material can be improved by the oxygen-doping. |
收录类别 | EI |
语种 | 中文 |
版本 | 出版稿 |
源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17873] ![]() |
专题 | 上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室 |
作者单位 | 1.顾四朋, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 2.侯立松, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 3.刘波, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 4.陈静, 中国科学院上海技术物理所, 国家红外物理实验室, 上海 200083, 中国. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾四朋,侯立松,刘波,等. 掺杂氧的Ge-Sb-Te相变薄膜的光学性质[J]. 光学学报,2002,22(9):1137. |
APA | 顾四朋,侯立松,刘波,&陈静.(2002).掺杂氧的Ge-Sb-Te相变薄膜的光学性质.光学学报,22(9),1137. |
MLA | 顾四朋,et al."掺杂氧的Ge-Sb-Te相变薄膜的光学性质".光学学报 22.9(2002):1137. |
入库方式: OAI收割
来源:上海光学精密机械研究所
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