beta'-Gd_2(MoO_4)_3晶体生长中的过冷现象研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 袁清习; 李红军; 庄漪; 徐军; 潘守夔 |
| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 31期号:2页码:117 |
| 其他题名 | Study On Supercooling during the Growth of beta'-Gd_2(MoO_4)_3 Crystal |
| 中文摘要 | 对电阻加热引上法和感应加热引上法生长beta'-Gd_2(MoO_4)_3晶体的实验结果进行了比较，分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况。研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO_3的挥发、Gd_2(MoO_4)_3熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关，并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体。 |
| 英文摘要 | We compared the experimental results of growing beta'-Gd_2(MoO_4)_3 crystal by resistance-heated and induction-heated Czochralski (Cz) technique. The constitutional supercooling and the supercooling of the melt during the Cz process were discussed. We consider that the constitutional supercooling was related to the volatilization of MoO_3, the viscosity of Gd_2(MoO_4)_3 melt and the temperature gradient in solid-liquid interface. We conclude that the high quality transparent beta'-Gd_2(MoO_4)_3 crystal grown by induction-heated Cz technique is easier than by resistance-heated Cz technique. |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 中文 |
| 版本 | 出版稿 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17792]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 作者单位 | 1.袁清习, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 固体微结构物理国家实验室, 上海 201800, 中国. 2.李红军, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 固体微结构物理国家实验室, 上海 201800, 中国. 3.庄漪, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 固体微结构物理国家实验室, 上海 201800, 中国. 4.徐军, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 固体微结构物理国家实验室, 上海 201800, 中国. 5.潘守夔, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 固体微结构物理国家实验室, 上海 20180 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁清习,李红军,庄漪,等. beta'-Gd_2(MoO_4)_3晶体生长中的过冷现象研究[J]. 人工晶体学报,2002,31(2):117. |
| APA | 袁清习,李红军,庄漪,徐军,&潘守夔.(2002).beta'-Gd_2(MoO_4)_3晶体生长中的过冷现象研究.人工晶体学报,31(2),117. |
| MLA | 袁清习,et al."beta'-Gd_2(MoO_4)_3晶体生长中的过冷现象研究".人工晶体学报 31.2(2002):117. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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