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gamma-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究

文献类型:期刊论文

作者杨卫桥; 干福熹; 邓佩珍; 徐军; 李杼智; 蒋成勇
刊名人工晶体学报
出版日期2002
卷号31期号:6页码:565
其他题名Study on the Growth Defects of gamma-LiAlO_2 Crystal
中文摘要gamma-LiAlO_2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO_2晶体的缺陷。结果表明,提拉法生长的gamma-LiAlO_2晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其(100)晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异。
英文摘要gamma-LiAlO_2 single crystal is an important kind of Substrate of GaN. The growth defects of gamma-LiAlO_2 were studied by means of optical micrography and synchrotron radiation topography. The result showed that the main kind of defects in gamma-LiAlO_2 crystal are dislocations, inclusions and sub-grain boundary. It was also found that the optical micrography of the two surfaces of gamma-LiAlO_2 (100) plate different from each other distinctly after chemical etch.
收录类别EI
语种中文
版本出版稿
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17798]  
专题上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心
作者单位1.杨卫桥, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国.
2.干福熹, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国.
3.邓佩珍, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国.
4.徐军, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国.
5.李杼智, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国.
6.蒋成勇, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国.
推荐引用方式
GB/T 7714
杨卫桥,干福熹,邓佩珍,等. gamma-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究[J]. 人工晶体学报,2002,31(6):565.
APA 杨卫桥,干福熹,邓佩珍,徐军,李杼智,&蒋成勇.(2002).gamma-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究.人工晶体学报,31(6),565.
MLA 杨卫桥,et al."gamma-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究".人工晶体学报 31.6(2002):565.

入库方式: OAI收割

来源:上海光学精密机械研究所

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