GaN衬底材料LiGaO_2晶体的温度梯度法生长及分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨卫桥; 干福熹; 邓佩珍; 周永宗; 徐军; 李杼智; 蒋成勇 |
| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 22期号:6页码:761 |
| 其他题名 | Growth of LiGaO_2 as a Substrate of GaN by Temperature Gradient Technique |
| 中文摘要 | 以温度梯度法生长LiGaO_2晶体，通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO_2晶体。但在生长过程中由于CO气体的存在，熔体表面形成了LiO-和金属态的Ga，钼坩埚被侵蚀形成Li_2MoO_4进入溶体，使样品上下两部分的结晶质量变差。 |
| 英文摘要 | The growth of LiGaO_2 by temperature gradient technique (TGT) is reported. Through topographic observing, X-ray diffraction analysis and X-ray photoelectron spectroscopy analysis, it is found that the single-phase crystal LiGaO_2 is formed in the middle of the sample. Owing to the existence of CO, LiO~- and Ga is formed on the surface of melt during growth, then Li_2MoO_4 is formed in the melt due to Mo crucible is eroded by LiO~- and Ga, the crystallization degraded at the upper and lower parts of the sample. |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 中文 |
| 版本 | 出版稿 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17861]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 作者单位 | 1.杨卫桥, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 2.干福熹, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 3.邓佩珍, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 4.周永宗, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 5.徐军, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 6.李杼智, 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800, 中国. 7.蒋成勇, 中国科学院上海光学精密机械研究所, |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨卫桥,干福熹,邓佩珍,等. GaN衬底材料LiGaO_2晶体的温度梯度法生长及分析[J]. 光学学报,2002,22(6):761. |
| APA | 杨卫桥.,干福熹.,邓佩珍.,周永宗.,徐军.,...&蒋成勇.(2002).GaN衬底材料LiGaO_2晶体的温度梯度法生长及分析.光学学报,22(6),761. |
| MLA | 杨卫桥,et al."GaN衬底材料LiGaO_2晶体的温度梯度法生长及分析".光学学报 22.6(2002):761. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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