用MOCVD法在LiGaO2(001）上生长GaN的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨卫桥; 干福熹; 邓佩珍; 徐军; 李抒智; 张荣 |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 18期号:1页码:215 |
| 其他题名 | GaN growth on LiGaO2(001) with MOCVD |
| 通讯作者 | Yang, WQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Opt & Fine Mech, Shanghai 201800, Peoples R China |
| 中文摘要 | LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料，本研究用金属有机物气相沉积法（MOCVD）在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验，生长出了表面较为平整的GaN外延膜。应用原子力显微镜（AFM）、X射线粉末衍射（XRD）和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试。结果表明，用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜。但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的，LiGaO2在这种气氛中不够稳定，实验 |
| 英文摘要 | LiGaO2 is the most promising substrate newly found for the epitaxy of GaN. Mirrorlike GaN(0001) films were grown on LiGaO2(001) substrates by using MOCVD. The GaN films and substrates were investigated by means of AFM, XRD and X-ray double-crystal diffraction. The result shows that a preferable quality of GaN(0001) films can be grown on LiGaO2(001) substrates by using MOCVD. LiGaO2 being unstable under the conditions of MOCVD which should be operated at high temperature and in deoxidize ambience, LiGaO2 substrate cracks appear easily in the growth process, but no phase changes. |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 中文 |
| WOS记录号 | WOS:000181251600035 |
| 版本 | 出版稿 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/18345]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 作者单位 | 1.Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Opt & Fine Mech, Shanghai 201800, Peoples R China 2.Nanjing Univ, Dept Phys, Nanjing 210000, Peoples R China |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨卫桥,干福熹,邓佩珍,等. 用MOCVD法在LiGaO2(001）上生长GaN的研究[J]. 无机材料学报,2003,18(1):215. |
| APA | 杨卫桥,干福熹,邓佩珍,徐军,李抒智,&张荣.(2003).用MOCVD法在LiGaO2(001）上生长GaN的研究.无机材料学报,18(1),215. |
| MLA | 杨卫桥,et al."用MOCVD法在LiGaO2(001）上生长GaN的研究".无机材料学报 18.1(2003):215. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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