GSMBE生长 1 .8- 2 .0mum波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 柏劲松; 方祖捷; 张云妹; 张位在; 陈高庭; 李爱珍; 陈建新 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 22期号:1页码:40 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 版本 | 出版稿 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/17657]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_信息光学开放实验室 |
| 作者单位 | 1.柏劲松, 中科院上海光学精密机械所, 上海 201800, 中国. 2.方祖捷, 中科院上海光学精密机械所, 上海 201800, 中国. 3.张云妹, 中科院上海光学精密机械所, 上海 201800, 中国. 4.张位在, 中科院上海光学精密机械所, 上海 201800, 中国. 5.陈高庭, 中科院上海光学精密机械所, 上海 201800, 中国. 6.李爱珍, 中科院上海冶金所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050, 中国. 7.陈建新, 中科院上海冶金所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050, 中国. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柏劲松,方祖捷,张云妹,等. GSMBE生长 1 .8- 2 .0mum波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器[J]. 半导体学报,2001,22(1):40. |
| APA | 柏劲松.,方祖捷.,张云妹.,张位在.,陈高庭.,...&陈建新.(2001).GSMBE生长 1 .8- 2 .0mum波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器.半导体学报,22(1),40. |
| MLA | 柏劲松,et al."GSMBE生长 1 .8- 2 .0mum波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器".半导体学报 22.1(2001):40. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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