闪烁薄膜的制备及性能研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 庞辉勇 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 导师 | 徐军 |
| 关键词 | 闪烁薄膜 液相外延 脉冲激光沉积 光学性能 |
| 中文摘要 | 由闪烁单晶薄膜荧光屏、显微光学系统和CCD器件构成的X射线闪烁探测器具有微米或亚微米空间分辨率、快速在线探测等特点，在相位衬度成像、全息成像、时间分辨和计算机显微断层成像等领域具有广阔的应用前景。闪烁单晶薄膜荧光屏的探测量子效率（DQE）和空间分辨率是表征X射线探测器信噪比的关键因素。决定DQE的因素主要是闪烁单晶薄膜材料的有效原子序数和密度。而闪烁单晶薄膜的厚度决定着成像系统的空间分辨率，厚度越薄，空间分辨率越大。因此，制备出高光学质量、厚度薄、有效原子序数和密度较大的闪烁单晶薄膜对亚微米显微成像具有重要的科学意义，而且对加强国际合作、提高我国在X射线相位成像领域中的研究和开发能力也具有十分重要的现实意义。 本论文的目标是用液相外延和脉冲激光沉积的工艺制备可应用于亚微米成像的闪烁薄膜。 提拉法生长了做衬底用的Y2SiO5、(Lu0.3Y0.7)2SiO5、(Lu0.5Y0.5)2SiO5、(Lu0.7Y0.3)2SiO5、Lu2SiO5单晶，对这些单晶体的物相、结构、光学和热学性能进行了研究；并生长了Y2SiO5:Eu和Lu2SiO5:Ce,Eu晶体，对Y2SiO5和Y2SiO5:Eu单晶的缺陷和辐照性能进行了初步的研究，对Y2SiO5:Eu和Lu2SiO5:Ce,Eu晶体的光谱性能进行了研究。 采用K2MoO4、PbO－B2O3等作为助熔剂用液相外延法在Y2SiO5单晶衬底上制备Y2SiO5:Ce薄膜，实验证明，由于K2MoO4的密度太低，熔化后溶液产生了严重的分层现象；PbO－B2O3系统有较大的挥发性，对YSO衬底腐蚀严重，并且在SiO2加入后，PbO－B2O3系统有很大的粘度，外延后助熔剂粘附在衬底上，不能甩掉，也不能作为助熔剂外延Ce:YSO薄膜。 采用PbO－B2O3作为助熔剂用液相外延法在YAG衬底上制备了YAG:Ce单晶薄膜，分别讨论了生长温度、生长时间、加热方式和甩料方式对薄膜质量的影响，实验证明，在970℃的外延温度下，外延5分钟能得到3.24μm厚的外延薄膜，薄膜在Ce:YAG的主发射峰530-540nm波段有75％的透过率。 采用KrF准分子脉冲激光沉积系统（PLD）制备了Ce:GSO/YSO薄膜。实验选取GSO:Ce单晶作为靶材，有效地抑制了薄膜表面大颗粒的形成，研究了退火温度对薄膜质量的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/15550]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庞辉勇. 闪烁薄膜的制备及性能研究[D]. 中国科学院上海光学精密机械研究所. 2006. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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