大尺寸高质量γ-LiAlO2衬底晶体生长、改性及宽带半导体薄膜制备研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 滕浩 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 导师 | 周圣明 |
| 关键词 | γ-LiAlO:晶体，提拉法，掺杂，ZnO，AlN |
| 其他题名 | Growth, improvement of large-size and high-quality γ-LiAl02 substrate crystals and deposition of wide bind gap semiconductor films on this substrate |
| 中文摘要 | 目前以GaN, AlN和ZnO等为代表的宽禁带半导体在短波长发光器件、大功率、高温电子器件等领域显示出巨大的应用价值，是世界上最先进的半导体材料。与这些材料的通用衬底蓝宝石(a-A1203)或者碳化硅((6H-SiC)相比，γ-LiAl02衬底由于比较适合生长非极性的GaN/ZnO薄膜而受到人们的广泛关注，但是这种衬底晶体生长工艺的困难以及高温下较差的稳定性限制了其应用。因此，本论文针对大尺寸y-LiAlO:晶体生长工艺优化与晶体掺杂改性，以及衬底上ZnO,A1N薄膜的生长特性进行了研究 |
| 英文摘要 | At present Wide Band Gap semiconductors such as GaN, AlN, and ZnO are the most advanced semiconductor materials in the world for the applications in short wavelength light emitting devices, high power and high temperature electronic devices. Compared with the general substrate sapphire or 6H-SiC, γ-LiA1O2 has attracted much attention for the superiority in growth of non-polar GaN/ZnO films. However, the difficulties in growing this crystal and its low stability at high temperature have hampered its applications. Therefore, the growth process, doping of large-size y-LiA1O2 crystal, as well as the growth of ZnO and A1N films on this substrate were studied in this paper. |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/15787]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 滕浩. 大尺寸高质量γ-LiAlO2衬底晶体生长、改性及宽带半导体薄膜制备研究[D]. 中国科学院上海光学精密机械研究所. 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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