一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 张海宝 ; 王化 ; 田兴友 ; 陈林 ; 李潇潇 ; 刘研研 ; 宁俊锟 |
| 发表日期 | 2016 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 公开号 CN 105973865 A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院 |
| 申请日期 | 2016 |
| 专利申请号 | CN201610074099.9 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/21279]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_应用技术研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院合肥物质科学研究院 地址 230031 安徽省合肥市蜀山湖路 350 号 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张海宝 ; 王化 ; 田兴友 ; 陈林 ; 李潇潇 ; 刘研研 ; 宁俊锟. 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法, 一种Au纳米树枝晶表面增强拉曼散射基底及其制备方法. 公开号 CN 105973865 A. 2016-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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