长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途
文献类型：专利
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| 作者 | 王振友 ; 吴海信; 毛明生; 倪友保; 黄昌保; 肖瑞春; 戚鸣
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| 发表日期 | 2015 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN 104695022 A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院 |
| 申请日期 | 2015 |
| 专利申请号 | 201510103218.4 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/19815]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院安徽光学精密机械研究所 |
| 作者单位 | 中科院安徽光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王振友,吴海信,毛明生,等. 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途, 长波红外非线性CdGa2Se4的晶体及其生长方法与用途. CN 104695022 A. 2015-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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