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钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法

文献类型:专利

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作者王时茂; 董伟伟; 方晓东; 陶汝华; 邓赞红; 邵景珍; 张庆礼
发表日期2015
专利国别中国
专利号公开号 CN 104681722 A
专利类型发明
权利人中国科学院
申请日期2015
专利申请号201510100147.2
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/21230]  
专题合肥物质科学研究院_中科院安徽光学精密机械研究所
作者单位中国科学院合肥物质科学研究院 地址 230031 安徽省合肥市蜀山湖路 350 号
推荐引用方式
GB/T 7714
王时茂,董伟伟,方晓东,等. 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法, 钙钛矿太阳电池准一维 TiO2纳米结构阵列骨架层制备方法. 公开号 CN 104681722 A. 2015-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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