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同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉

文献类型:专利

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作者殷绍唐 ;   张德明 ;   孙彧 ;   张庆礼 ;   孙敦陆
发表日期2015
专利国别中国
专利号公开号 CN 104534879A
专利类型发明
权利人中国科学院
申请日期2015
专利申请号201510017769.9
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/21314]  
专题合肥物质科学研究院_中科院安徽光学精密机械研究所
作者单位中国科学院合肥物质科学研究院 地址 230031 安徽省合肥市蜀山湖路 350 号
推荐引用方式
GB/T 7714
殷绍唐 ; 张德明 ; 孙彧 ; 张庆礼 ; 孙敦陆. 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉, 同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉. 公开号 CN 104534879A. 2015-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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