无机相变信息存储材料研究新进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙华军 ; 侯立松 ; 魏劲松 ; 吴谊群 |
| 刊名 | 激光与光电子学进展
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 45期号:4页码:15 |
| ISSN号 | 1006-4125 |
| 中文摘要 | 硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点。与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用。总结了近年来国内外在相变材料的存储机制、光/电存储性能的改进以及新应用等方面的最新研究成果,并展望了相变材料的研究前景。 |
| 学科主题 | 光存储 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-22 ; 2010-10-12 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/4039]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙华军,侯立松,魏劲松,等. 无机相变信息存储材料研究新进展[J]. 激光与光电子学进展,2008,45(4):15, 24. |
| APA | 孙华军,侯立松,魏劲松,&吴谊群.(2008).无机相变信息存储材料研究新进展.激光与光电子学进展,45(4),15. |
| MLA | 孙华军,et al."无机相变信息存储材料研究新进展".激光与光电子学进展 45.4(2008):15. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。