提高CMOS图像传感器动态范围方法的研究
文献类型：学位论文
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 朱玮 |
| 关键词 | CMOS图像传感器 动态范围 信噪比 对数像素结构 条件重置 |
| 学位专业 | 硕士 ; 计算机应用技术 |
| 中文摘要 | CMOS图像传感器以光电技术为基础，将光敏元件，放大器，A/D转换器，存储器，数字信号处理器和计算机接口等集成到一块硅片上，结构简单，功能强大。图像传感器的动态范围定义为最大非饱和输入信号与最小可测信号的标准偏差的比值，动态范围决定了图像传感器的视觉范围；噪声是影响图像传感器成像质量的关键条件，信噪比是对噪声的度量。动态范围和信噪比是影响图像传感器成像质量的关键条件，决定了图像传感器的质量，是评价图像传感器优劣的重要标准。 本文对提高CMOS图像传感器动态范围的方法进行研究。已经提出的提高CMOS图像传感器动态范围的方法有对数像素结构，光敏单元阱容调整，多次采样，时间饱和方法和条件重置方法。为了对提高CMOS图像传感器动态范围方法的性能进行合理评价，文章对CMOS图像传感器电流到电量的形成过程进行了建模，采用了同时分析信噪比SNR和动态范围DR的方法，对上述5种方法的动态范围和信噪比进行了分析评价。分析数据表明在提高CMOS图像传感器动态范围的情况下，对数像素结构信噪比降低最大，光敏单元阱容调整方法和时间饱和方法的信噪比略有降低，多次采样和条件重置方法的信噪比升高。同时本文还针对条件重置方法存在的缺点进行了改进设计。 |
| 源URL | [http://202.127.2.71:8080/handle/181331/10962]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_全文传递文献库_qwcd 学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . 提高CMOS图像传感器动态范围方法的研究[D]. 中国科学院研究生院. 2008. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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