长波碲镉汞材料阳极氧化膜ZnS界面电学特性参数的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王妮丽 ; 刘诗嘉 ; 兰添翼 ; 赵水平 ; 李向阳 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2013-01-01 |
| 卷号 | 32期号:2 |
| 关键词 | 碲镉汞 MIS 钝化 |
| 中文摘要 | 通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的"长波弱P"型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析,获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜/ZnS界面电学特性参数.并通过获得的界面参数,计算了阳极氧化和ZnS的双层钝化膜的表面复合速度.并对MIS器件的变温C-V特性进行了实验和分析. |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2014-11-05 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7598]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王妮丽,刘诗嘉,兰添翼,等. 长波碲镉汞材料阳极氧化膜ZnS界面电学特性参数的研究[J]. 红外与毫米波学报,2013,32(2). |
| APA | 王妮丽,刘诗嘉,兰添翼,赵水平,&李向阳.(2013).长波碲镉汞材料阳极氧化膜ZnS界面电学特性参数的研究.红外与毫米波学报,32(2). |
| MLA | 王妮丽,et al."长波碲镉汞材料阳极氧化膜ZnS界面电学特性参数的研究".红外与毫米波学报 32.2(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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