肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V 暗性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵守仁 ; 黄志鹏 ; 孙雷 ; 孙朋超 ; 张传军 ; 邬云华 ; 曹鸿 ; 王善力 ; 褚君浩 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2013-01-01 |
| 卷号 | 62期号:16 |
| 关键词 | CdS/CdTe薄膜 伏安特性 肖特基势垒 roll-over |
| 中文摘要 | 采用数学模拟方法分析了不同背接触势垒高度(φb)对于CdS/CdTe薄膜电池的J-V(电流密度-电压)方程的影响,得出了势垒高度与roll-over的变化对应关系.采用相应Cu/Mo背电极的CdS/CdTe薄膜电池在220—300K的变温J-V曲线的数值分析与理论分析相对照,分析了背势垒对于J-V曲线拟合参数的影响.修正了φb与反向饱和电流(Jb0)关系式,理论与实验符合得非常好. |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2014-11-10 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7688]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵守仁,黄志鹏,孙雷,等. 肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V 暗性能的影响[J]. 物理学报,2013,62(16). |
| APA | 赵守仁.,黄志鹏.,孙雷.,孙朋超.,张传军.,...&褚君浩.(2013).肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V 暗性能的影响.物理学报,62(16). |
| MLA | 赵守仁,et al."肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V 暗性能的影响".物理学报 62.16(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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