Spectrum Analysis of 2-D Plasmon in GaN-Based High Electron Mobility Transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | LinWang ; Xiao-ShuangChen ; Wei-DaHu ; WeiLu |
| 刊名 | IEEE J SEL TOP QUANT
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 19期号:1 |
| 关键词 | Highelectronmobilitytransistors(HEMTs) plasmonics spectrum terahertz(THz)detectors |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2014-11-10 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7700]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | LinWang,Xiao-ShuangChen,Wei-DaHu,et al. Spectrum Analysis of 2-D Plasmon in GaN-Based High Electron Mobility Transistors[J]. IEEE J SEL TOP QUANT,2013,19(1). |
| APA | LinWang,Xiao-ShuangChen,Wei-DaHu,&WeiLu.(2013).Spectrum Analysis of 2-D Plasmon in GaN-Based High Electron Mobility Transistors.IEEE J SEL TOP QUANT,19(1). |
| MLA | LinWang,et al."Spectrum Analysis of 2-D Plasmon in GaN-Based High Electron Mobility Transistors".IEEE J SEL TOP QUANT 19.1(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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