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The creep process of the domain switching in poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)ferroelectric thin films

文献类型:期刊论文

作者B.B.Tian Z.H.Chen A.Q.Jiang X.L.Zhao B.L.Liu J.L.Wang L.Han Sh.Sun J.L.Sun X.J.Meng andJ.H.Chu
刊名Appl.Phys.Lett
出版日期2013-01-01
卷号0期号:7
关键词Polarization Electricfields Domainwalls Capacitors Creep
学科主题红外基础研究
公开日期2014-11-10
源URL[http://202.127.1.142/handle/181331/7706]  
专题上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式
GB/T 7714
B.B.Tian Z.H.Chen A.Q.Jiang X.L.Zhao B.L.Liu J.L.Wang L.Han Sh.Sun J.L.Sun X.J.Meng andJ.H.Chu. The creep process of the domain switching in poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)ferroelectric thin films[J]. Appl.Phys.Lett,2013,0(7).
APA B.B.Tian Z.H.Chen A.Q.Jiang X.L.Zhao B.L.Liu J.L.Wang L.Han Sh.Sun J.L.Sun X.J.Meng andJ.H.Chu.(2013).The creep process of the domain switching in poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)ferroelectric thin films.Appl.Phys.Lett,0(7).
MLA B.B.Tian Z.H.Chen A.Q.Jiang X.L.Zhao B.L.Liu J.L.Wang L.Han Sh.Sun J.L.Sun X.J.Meng andJ.H.Chu."The creep process of the domain switching in poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)ferroelectric thin films".Appl.Phys.Lett 0.7(2013).

入库方式: OAI收割

来源:上海技术物理研究所

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