Enhanced plasmonic resonant excitation in a grating gated field-effect transistor with
文献类型：期刊论文
| 作者 | Guo Nan ; Hu Wei-Da ; Chen Xiao-Shuang ; Wang Lin ; Lu Wei |
| 刊名 | OPT EXPRESS
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| 出版日期 | 2013-01-01 |
| 卷号 | 21期号:2 |
| 关键词 | Electricfields-Fieldeffecttransistors-Finitedifferencetimedomainmethod-Galliumnitride-Semiconductordoping-Surfaceplasmonresonance |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2014-11-10 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7720]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Guo Nan,Hu Wei-Da,Chen Xiao-Shuang,et al. Enhanced plasmonic resonant excitation in a grating gated field-effect transistor with[J]. OPT EXPRESS,2013,21(2). |
| APA | Guo Nan,Hu Wei-Da,Chen Xiao-Shuang,Wang Lin,&Lu Wei.(2013).Enhanced plasmonic resonant excitation in a grating gated field-effect transistor with.OPT EXPRESS,21(2). |
| MLA | Guo Nan,et al."Enhanced plasmonic resonant excitation in a grating gated field-effect transistor with".OPT EXPRESS 21.2(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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