Impact of growth parameters on the morphology and microstructure of epitaxial GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Z.Y.Lu P.P.Chen Z.M.Liao S.X.Shi Y.Sun T.X.Li Y.H.Zhang J.Zou W.Lu |
| 刊名 | J.Alloy.Compd
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| 出版日期 | 2013-01-01 |
| 卷号 | 580期号:82 |
| 关键词 | Galliumarsenide Nanowire Molecularbeamepitaxy Microstructure |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2014-11-10 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7724]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Z.Y.Lu P.P.Chen Z.M.Liao S.X.Shi Y.Sun T.X.Li Y.H.Zhang J.Zou W.Lu. Impact of growth parameters on the morphology and microstructure of epitaxial GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy[J]. J.Alloy.Compd,2013,580(82). |
| APA | Z.Y.Lu P.P.Chen Z.M.Liao S.X.Shi Y.Sun T.X.Li Y.H.Zhang J.Zou W.Lu.(2013).Impact of growth parameters on the morphology and microstructure of epitaxial GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy.J.Alloy.Compd,580(82). |
| MLA | Z.Y.Lu P.P.Chen Z.M.Liao S.X.Shi Y.Sun T.X.Li Y.H.Zhang J.Zou W.Lu."Impact of growth parameters on the morphology and microstructure of epitaxial GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy".J.Alloy.Compd 580.82(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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