Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence
文献类型：期刊论文
| 作者 | XirenChen YuxinSong LiangZhu S.M.Wang WeiLu ShaolingGuoandJunShao |
| 刊名 | J.Appl.Phys
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| 出版日期 | 2013-01-01 |
| 卷号 | 113期号:15 |
| 关键词 | Quantumwells Photoluminescence III-Vsemiconductors Thinfilmgrowth Bandgap |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2014-11-10 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7730]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | XirenChen YuxinSong LiangZhu S.M.Wang WeiLu ShaolingGuoandJunShao. Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence[J]. J.Appl.Phys,2013,113(15). |
| APA | XirenChen YuxinSong LiangZhu S.M.Wang WeiLu ShaolingGuoandJunShao.(2013).Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence.J.Appl.Phys,113(15). |
| MLA | XirenChen YuxinSong LiangZhu S.M.Wang WeiLu ShaolingGuoandJunShao."Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence".J.Appl.Phys 113.15(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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