Electronic properties of HgTe within different structures
文献类型：期刊论文
| 作者 | HUXIANZHAO XIAOSHUANGCHEN JIANPINGLU andWEILU |
| 刊名 | International Journal of Modern Physics B
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| 出版日期 | 2013-01-01 |
| 卷号 | 27期号:18 |
| 关键词 | DFT semiconductors electronicproperties HgTe |
| 学科主题 | 红外基础研究 |
| 公开日期 | 2014-11-10 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7768]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HUXIANZHAO XIAOSHUANGCHEN JIANPINGLU andWEILU. Electronic properties of HgTe within different structures[J]. International Journal of Modern Physics B,2013,27(18). |
| APA | HUXIANZHAO XIAOSHUANGCHEN JIANPINGLU andWEILU.(2013).Electronic properties of HgTe within different structures.International Journal of Modern Physics B,27(18). |
| MLA | HUXIANZHAO XIAOSHUANGCHEN JIANPINGLU andWEILU."Electronic properties of HgTe within different structures".International Journal of Modern Physics B 27.18(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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