CdZnTe晶体沉淀物特性的研究
文献类型:期刊论文
作者 | 盛锋锋 ; 杨建荣 |
刊名 | 功能材料
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出版日期 | 2013-04-27 |
期号 | S1 |
关键词 | CdZnTe 缺陷 沉淀物 |
中文摘要 | 通过观察和分析CdZnTe晶体中富Te和富Cd沉淀物在红外透射显微镜下的形貌特征,从实验上证实在正四面体或八面体结构的富Te沉淀物内部存在空洞。分析表明,和正四面体沉淀物相邻的CdZnTe材料表面为(111)B面,构成八面体的另外4个面为(111)A面,(111)B面为表面能密度最低的慢生长面。结合化学腐蚀的观察结果发现,红外透射显微镜下呈星状结构的富Cd沉淀物由中心区沉淀物和外围高密度位错集聚区构成,中心区沉淀物大多为不规则形状。通过分析〈111〉和〈110〉晶向上富Cd沉淀物的形貌特征,确定了星状结构的延伸方向为〈211〉晶向,高密度位错集聚区的大小比沉淀物尺寸大出数倍。对沉淀物与周边材料的作用机理也进行了分析. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2014-11-11 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7769] ![]() |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 盛锋锋,杨建荣. CdZnTe晶体沉淀物特性的研究[J]. 功能材料,2013(S1). |
APA | 盛锋锋,&杨建荣.(2013).CdZnTe晶体沉淀物特性的研究.功能材料(S1). |
MLA | 盛锋锋,et al."CdZnTe晶体沉淀物特性的研究".功能材料 .S1(2013). |
入库方式: OAI收割
来源:上海技术物理研究所
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