Investigations on a Multiple Mask Technique to Depress Processing-Induced Damage of ICP-Etched HgCdTe Trenches
文献类型：期刊论文
| 作者 | Z.H. YE ; W.D. HU ; W. LEI ; W. LU ; L. HE ; L. YANG ; P. ZHANG ; Y. HUANG ; C. LIN ; C.H. SUN ; X.N. HU ; R.J. DING ; X.S. CHEN |
| 刊名 | J. Electron. Mater
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| 出版日期 | 2013-08-14 |
| 卷号 | 42期号:11 |
| 关键词 | Mercury cadmium telluride (HgCdTe) processing-induced side-wall damage inductively coupled plasma (ICP) high etching selectivity |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2014-11-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7775]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Z.H. YE,W.D. HU,W. LEI,et al. Investigations on a Multiple Mask Technique to Depress Processing-Induced Damage of ICP-Etched HgCdTe Trenches[J]. J. Electron. Mater,2013,42(11). |
| APA | Z.H. YE.,W.D. HU.,W. LEI.,W. LU.,L. HE.,...&X.S. CHEN.(2013).Investigations on a Multiple Mask Technique to Depress Processing-Induced Damage of ICP-Etched HgCdTe Trenches.J. Electron. Mater,42(11). |
| MLA | Z.H. YE,et al."Investigations on a Multiple Mask Technique to Depress Processing-Induced Damage of ICP-Etched HgCdTe Trenches".J. Electron. Mater 42.11(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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