Interface design and properties in InAs/GaSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy
文献类型：会议论文
| 出版日期 | 2013-09-10 |
| 会议名称 | International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging:Infrared Imaging and Applications |
| 会议日期 | 2013-06-25 |
| 会议地点 | Beijing |
| 关键词 | InAs/GaSb superlattice migration-enhanced epitaxy molecular beam epitaxy |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7778]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | . Interface design and properties in InAs/GaSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy[C]. 见:International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging:Infrared Imaging and Applications. Beijing. 2013-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。