高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 1张可锋2林杏潮3张莉萍4 邵秀华5王仍6焦翠灵 7陆液 8杜云辰9宋坤骏10李向阳 |
| 发表日期 | 2014-01-01 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 201110362040.7 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海技术物理研究所 |
| 是否PCT专利 | 否 |
| 公开日期 | 2015-01-06 |
| 申请日期 | 2012-01-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利证书号 | 1376745 |
| 专利申请号 | 201110362040.7 |
| 专利代理 | 上海新天专利代理有限公司 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/7825]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1张可锋2林杏潮3张莉萍4 邵秀华5王仍6焦翠灵 7陆液 8杜云辰9宋坤骏10李向阳. 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法. 201110362040.7. 2014-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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