γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程勇1; 李小虎1; 刘伟华1; 吴国忠1; 王谋华1 |
| 刊名 | 高等学校化学学报
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | v.37期号:3页码:595-599 |
| 关键词 | 电子自旋共振 聚碳硅烷 γ射线辐射 自由基 |
| ISSN号 | 0251-0790 |
| 中文摘要 | 利用电子自旋共振波谱(ESR)研究了在N2气中γ射线辐射诱导聚碳硅烷(PCS)自由基的产生和演变行为.ESR谱图分析结果表明,γ射线辐射诱导PCS产生的自由基为硅自由基(≡Si·).低剂量辐照时硅自由基的浓度随吸收剂量的增加而线性增加,硅自由基的辐射化学产额G值约为9,吸收剂量达到200 k Gy后,硅自由基的浓度趋于饱和.室温下硅自由基的浓度随存储时间的延长而逐渐降低,在N2气中存储时硅自由基的半衰期约23 d,在空气中存储时硅自由基的氧化反应导致衰减速率加快,半衰期仅为8 h.温度升高硅自由基衰减速率加快,在N2气中250℃加热处理可以完全清除硅自由基. |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/26187]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 作者单位 | 1.上海大学理学院 2.中国科学院上海应用物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程勇,李小虎,刘伟华,等. γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变[J]. 高等学校化学学报,2016,v.37(3):595-599. |
| APA | 程勇,李小虎,刘伟华,吴国忠,&王谋华.(2016).γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变.高等学校化学学报,v.37(3),595-599. |
| MLA | 程勇,et al."γ射线辐射诱导聚碳硅烷自由基的衰变".高等学校化学学报 v.37.3(2016):595-599. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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