Gate tunable MoS2-black phosphorus heterojunction devices
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen, P ; Xiang, JY ; Yu, H ; Zhang, J ; Xie, GB ; Wu, S ; Lu, XB ; Wang, GL ; Zhao, J ; Wen, FS ; Liu, ZY ; Yang, R ; Shi, DX ; Zhang, GY |
| 刊名 | 2D MATERIALS
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 2期号:3 |
| 公开日期 | 2016-12-26 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/60121]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, P,Xiang, JY,Yu, H,et al. Gate tunable MoS2-black phosphorus heterojunction devices[J]. 2D MATERIALS,2015,2(3). |
| APA | Chen, P.,Xiang, JY.,Yu, H.,Zhang, J.,Xie, GB.,...&Zhang, GY.(2015).Gate tunable MoS2-black phosphorus heterojunction devices.2D MATERIALS,2(3). |
| MLA | Chen, P,et al."Gate tunable MoS2-black phosphorus heterojunction devices".2D MATERIALS 2.3(2015). |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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