Fast phase transition process of Ge2Sb2Te5 film induced by picosecond laser pulses with identical fluences
文献类型：期刊论文
| 作者 | Huan Huang(黄欢) ; Fangyuan Zuo(左方圆) ; Fengxiao Zhai(翟凤潇) ; Yang Wang(王阳) ; Tianshu Lai(赖天树) ; Yiqun.Wu(吴谊群) ; and Fuxi Gan(干福熹) |
| 刊名 | journal of appled physics
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 106页码:063501-063505 |
| 合作状况 | 国内 |
| 学科主题 | 固体物理学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 中文 |
| WOS记录号 | WOS:000270378100035 |
| 公开日期 | 2010-05-07 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/6724]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huan Huang,Fangyuan Zuo,Fengxiao Zhai,et al. Fast phase transition process of Ge2Sb2Te5 film induced by picosecond laser pulses with identical fluences[J]. journal of appled physics,2009(106):063501-063505. |
| APA | Huan Huang.,Fangyuan Zuo.,Fengxiao Zhai.,Yang Wang.,Tianshu Lai.,...&and Fuxi Gan.(2009).Fast phase transition process of Ge2Sb2Te5 film induced by picosecond laser pulses with identical fluences.journal of appled physics(106),063501-063505. |
| MLA | Huan Huang,et al."Fast phase transition process of Ge2Sb2Te5 film induced by picosecond laser pulses with identical fluences".journal of appled physics .106(2009):063501-063505. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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