Efficiency enhancement of InGaN/GaN multiple quantum wells with graphene layer
文献类型：期刊论文
| 作者 | Deng, Z ; Li, ZS ; Jiang, Y ; Ma, ZG ; Fang, YT ; Li, YF ; Wang, WX ; Jia, HQ ; Chen, H |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 119期号:4页码:1209 |
| 公开日期 | 2016-12-26 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/60254]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Deng, Z,Li, ZS,Jiang, Y,et al. Efficiency enhancement of InGaN/GaN multiple quantum wells with graphene layer[J]. APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,2015,119(4):1209. |
| APA | Deng, Z.,Li, ZS.,Jiang, Y.,Ma, ZG.,Fang, YT.,...&Chen, H.(2015).Efficiency enhancement of InGaN/GaN multiple quantum wells with graphene layer.APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,119(4),1209. |
| MLA | Deng, Z,et al."Efficiency enhancement of InGaN/GaN multiple quantum wells with graphene layer".APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 119.4(2015):1209. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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