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Stacking-dependent electronic property of trilayer graphene epitaxially grown on Ru(0001)

文献类型:期刊论文

作者Que, YD ; Xiao, WD ; Chen, H ; Wang, DF ; Du, SX ; Gao, HJ
刊名APPLIED PHYSICS LETTERS
出版日期2015
卷号107期号:26
公开日期2016-12-26
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/60297]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Que, YD,Xiao, WD,Chen, H,et al. Stacking-dependent electronic property of trilayer graphene epitaxially grown on Ru(0001)[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2015,107(26).
APA Que, YD,Xiao, WD,Chen, H,Wang, DF,Du, SX,&Gao, HJ.(2015).Stacking-dependent electronic property of trilayer graphene epitaxially grown on Ru(0001).APPLIED PHYSICS LETTERS,107(26).
MLA Que, YD,et al."Stacking-dependent electronic property of trilayer graphene epitaxially grown on Ru(0001)".APPLIED PHYSICS LETTERS 107.26(2015).

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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