Stacking-dependent electronic property of trilayer graphene epitaxially grown on Ru(0001)
文献类型：期刊论文
| 作者 | Que, YD ; Xiao, WD ; Chen, H ; Wang, DF ; Du, SX ; Gao, HJ |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 107期号:26 |
| 公开日期 | 2016-12-26 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/60297]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Que, YD,Xiao, WD,Chen, H,et al. Stacking-dependent electronic property of trilayer graphene epitaxially grown on Ru(0001)[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2015,107(26). |
| APA | Que, YD,Xiao, WD,Chen, H,Wang, DF,Du, SX,&Gao, HJ.(2015).Stacking-dependent electronic property of trilayer graphene epitaxially grown on Ru(0001).APPLIED PHYSICS LETTERS,107(26). |
| MLA | Que, YD,et al."Stacking-dependent electronic property of trilayer graphene epitaxially grown on Ru(0001)".APPLIED PHYSICS LETTERS 107.26(2015). |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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