Room-Temperature, Low-Barrier Boron Doping of Graphene
文献类型：期刊论文
| 作者 | Pan, LD ; Que, YD ; Chen, H ; Wang, DF ; Li, J ; Shen, CM ; Xiao, WD ; Du, SX ; Gao, HJ ; Pantelides, ST |
| 刊名 | NANO LETTERS
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 15期号:10页码:6464 |
| 公开日期 | 2016-12-26 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/60642]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Pan, LD,Que, YD,Chen, H,et al. Room-Temperature, Low-Barrier Boron Doping of Graphene[J]. NANO LETTERS,2015,15(10):6464. |
| APA | Pan, LD.,Que, YD.,Chen, H.,Wang, DF.,Li, J.,...&Pantelides, ST.(2015).Room-Temperature, Low-Barrier Boron Doping of Graphene.NANO LETTERS,15(10),6464. |
| MLA | Pan, LD,et al."Room-Temperature, Low-Barrier Boron Doping of Graphene".NANO LETTERS 15.10(2015):6464. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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