Multilayered silicene: the bottom-up approach for a weakly relaxed Si(111) with Dirac surface states
文献类型：期刊论文
| 作者 | Fu, HX ; Chen, L ; Chen, J ; Qiu, JL ; Ding, ZJ ; Zhang, J ; Wu, KH ; Li, H ; Meng, S |
| 刊名 | NANOSCALE
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 7期号:38页码:15880 |
| 公开日期 | 2016-12-26 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/60674]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Fu, HX,Chen, L,Chen, J,et al. Multilayered silicene: the bottom-up approach for a weakly relaxed Si(111) with Dirac surface states[J]. NANOSCALE,2015,7(38):15880. |
| APA | Fu, HX.,Chen, L.,Chen, J.,Qiu, JL.,Ding, ZJ.,...&Meng, S.(2015).Multilayered silicene: the bottom-up approach for a weakly relaxed Si(111) with Dirac surface states.NANOSCALE,7(38),15880. |
| MLA | Fu, HX,et al."Multilayered silicene: the bottom-up approach for a weakly relaxed Si(111) with Dirac surface states".NANOSCALE 7.38(2015):15880. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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