Understanding the conductive channel evolution in Na:WO3-x-based planar devices
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shang, DS ; Li, PN ; Wang, T ; Carria, E ; Sun, JR ; Shen, BG ; Taubner, T ; Valov, I ; Waser, R ; Wuttig, M |
| 刊名 | NANOSCALE
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 7期号:14页码:6023 |
| 公开日期 | 2016-12-26 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/60685]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shang, DS,Li, PN,Wang, T,et al. Understanding the conductive channel evolution in Na:WO3-x-based planar devices[J]. NANOSCALE,2015,7(14):6023. |
| APA | Shang, DS.,Li, PN.,Wang, T.,Carria, E.,Sun, JR.,...&Wuttig, M.(2015).Understanding the conductive channel evolution in Na:WO3-x-based planar devices.NANOSCALE,7(14),6023. |
| MLA | Shang, DS,et al."Understanding the conductive channel evolution in Na:WO3-x-based planar devices".NANOSCALE 7.14(2015):6023. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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