Enhanced stability of black phosphorus field-effect transistors with SiO2 passivation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wan, BS ; Yang, BC ; Wang, Y ; Zhang, JY ; Zeng, ZM ; Liu, ZY ; Wang, WH |
| 刊名 | NANOTECHNOLOGY
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 26期号:43 |
| 公开日期 | 2016-12-26 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/60689]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wan, BS,Yang, BC,Wang, Y,et al. Enhanced stability of black phosphorus field-effect transistors with SiO2 passivation[J]. NANOTECHNOLOGY,2015,26(43). |
| APA | Wan, BS.,Yang, BC.,Wang, Y.,Zhang, JY.,Zeng, ZM.,...&Wang, WH.(2015).Enhanced stability of black phosphorus field-effect transistors with SiO2 passivation.NANOTECHNOLOGY,26(43). |
| MLA | Wan, BS,et al."Enhanced stability of black phosphorus field-effect transistors with SiO2 passivation".NANOTECHNOLOGY 26.43(2015). |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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