Band Engineering of Dirac Surface States in Topological-Insulator-Based van der Waals Heterostructures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chang, CZ ; Tang, PZ ; Feng, X ; Li, K ; Ma, XC ; Duan, WH ; He, K ; Xue, QK |
| 刊名 | PHYSICAL REVIEW LETTERS
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 115期号:13 |
| 公开日期 | 2016-12-26 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/61261]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chang, CZ,Tang, PZ,Feng, X,et al. Band Engineering of Dirac Surface States in Topological-Insulator-Based van der Waals Heterostructures[J]. PHYSICAL REVIEW LETTERS,2015,115(13). |
| APA | Chang, CZ.,Tang, PZ.,Feng, X.,Li, K.,Ma, XC.,...&Xue, QK.(2015).Band Engineering of Dirac Surface States in Topological-Insulator-Based van der Waals Heterostructures.PHYSICAL REVIEW LETTERS,115(13). |
| MLA | Chang, CZ,et al."Band Engineering of Dirac Surface States in Topological-Insulator-Based van der Waals Heterostructures".PHYSICAL REVIEW LETTERS 115.13(2015). |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。