电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 武大猷; 文林; 汪朝敏; 何承发; 郭旗; 李豫东; 曾俊哲; 汪波; 刘元; 郭旗 ; 何承发; 李豫东; 文林
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 37期号:6页码:711-719 |
| 关键词 | 电荷耦合器件 暗信号 低剂量率损伤增强效应 暗场像素统计 |
| 中文摘要 | 对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(11005152);中国科学院“西部之光”人才培养计划重点项目“CCD的空间位移损伤效应及评估技术研究”资助 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4607]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院大学；重庆光电技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武大猷；文林；汪朝敏；何承发；郭旗；李豫东；曾俊哲；汪波；刘元,郭旗,何承发,等. 电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究[J]. 发光学报,2016,37(6):711-719. |
| APA | 武大猷；文林；汪朝敏；何承发；郭旗；李豫东；曾俊哲；汪波；刘元,郭旗,何承发,李豫东,&文林.(2016).电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究.发光学报,37(6),711-719. |
| MLA | 武大猷；文林；汪朝敏；何承发；郭旗；李豫东；曾俊哲；汪波；刘元,et al."电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究".发光学报 37.6(2016):711-719. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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