一种聚芴及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 程延祥; 王彦杰; 张子龙; 李晓; 战宏梅 |
| 发表日期 | 2015-01-28 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201510044264.1 |
| 专利类型 | 发明 |
| 中文摘要 | 与现有技术相比,本发明提供了一种聚芴,具有式(I)所示结构。其中,R1选自烷基、烷基取代的芳基或烷氧基取代的芳基；n为聚合度,3≤n≤1000。本发明提供的聚芴两端基均为溴原子,所述聚芴两端基结构明确且单一,光电性能稳定,同时本发明提供的聚芴可以作为中间体合成其他端基结构明确的聚芴或嵌段聚合物,在光电功能材料技术领域具有广阔的发展前景和巨大的应用潜力。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/78355]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_专利 |
| 作者单位 | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程延祥,王彦杰,张子龙,等. 一种聚芴及其制备方法. CN201510044264.1. 2015-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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