Ti掺杂NbSe2电子结构的第一性原理研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐晶; 梁家青; 李红萍; 李长生; 刘孝娟; 孟健 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 64期号:20页码:207101-1-7 |
| 关键词 | 二硒化铌 掺杂 电子结构 第一性原理 |
| 中文摘要 | 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了理想2H-NbSe2和Ti掺杂2H-NbSe2晶体的几何结构及电子结构;对掺杂前后超胞的能带图、态密度及分波态密度图进行了分析.结果表明,掺杂后费米能级附近能量区域的电子态密度出现了较高的峰值,且费米能级位置发生了改变.理论上可以认为Ti的掺杂会使得NbSe2的导电性增强,有利于开发新型的电接触复合材料. |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/77996]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐晶,梁家青,李红萍,等. Ti掺杂NbSe2电子结构的第一性原理研究[J]. 物理学报,2015,64(20):207101-1-7. |
| APA | 徐晶,梁家青,李红萍,李长生,刘孝娟,&孟健.(2015).Ti掺杂NbSe2电子结构的第一性原理研究.物理学报,64(20),207101-1-7. |
| MLA | 徐晶,et al."Ti掺杂NbSe2电子结构的第一性原理研究".物理学报 64.20(2015):207101-1-7. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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