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埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法

文献类型:专利

作者孙蓉; 苏星松; 符显珠; 郭慧子
发表日期2013-10-30
专利国别中国
专利号201310530701.1 
专利类型发明
权利人中国科学院深圳先进技术研究院
授权日期2015-09-30
源URL[http://ir.siat.ac.cn:8080/handle/172644/8456]  
专题深圳先进技术研究院_先进院专利
作者单位2013-10-30
推荐引用方式
GB/T 7714
孙蓉,苏星松,符显珠,等. 埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法. 201310530701.1 . 2013-10-30.

入库方式: OAI收割

来源:深圳先进技术研究院

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