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碳纳米管场发射阴极及其制备方法

文献类型:专利

作者洪序达; 陈婷; 陈垚; 郑海荣
发表日期2013-09-10
专利国别中国
专利号201310411202.0 
专利类型发明
权利人中国科学院深圳先进技术研究院
授权日期2016-08-24
源URL[http://ir.siat.ac.cn:8080/handle/172644/9673]  
专题深圳先进技术研究院_先进院专利
作者单位2013-09-10
推荐引用方式
GB/T 7714
洪序达,陈婷,陈垚,等. 碳纳米管场发射阴极及其制备方法. 201310411202.0 . 2013-09-10.

入库方式: OAI收割

来源:深圳先进技术研究院

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