Gate-tunable diode-like current rectification and ambipolar transport in multilayer van der Waals ReSe2/WS2 p–n heterojunctions
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cong Wang ; Shengxue Yang ; Wenqi Xiong ; Congxin Xia ; Hui Cai ; Bin Chen ; Xiaoting Wang ; Xinzheng Zhang ; Zhongming Wei ; Sefaattin Tongay ; Jingbo Li ; Qian Liu |
| 刊名 | Phys. Chem. Chem. Phys.
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 18期号:40页码:27750-27753 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27788]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cong Wang,Shengxue Yang,Wenqi Xiong,et al. Gate-tunable diode-like current rectification and ambipolar transport in multilayer van der Waals ReSe2/WS2 p–n heterojunctions[J]. Phys. Chem. Chem. Phys.,2016,18(40):27750-27753. |
| APA | Cong Wang.,Shengxue Yang.,Wenqi Xiong.,Congxin Xia.,Hui Cai.,...&Qian Liu.(2016).Gate-tunable diode-like current rectification and ambipolar transport in multilayer van der Waals ReSe2/WS2 p–n heterojunctions.Phys. Chem. Chem. Phys.,18(40),27750-27753. |
| MLA | Cong Wang,et al."Gate-tunable diode-like current rectification and ambipolar transport in multilayer van der Waals ReSe2/WS2 p–n heterojunctions".Phys. Chem. Chem. Phys. 18.40(2016):27750-27753. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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