Anti-ambipolar Field-Effect Transistors Based On Few-Layer 2D Transition Metal Dichalcogenides
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yongtao Li ; Yan Wang ; Le Huang ; Xiaoting Wang ; Xingyun Li ; Hui-Xiong Deng ; Zhongming Wei ; Jingbo Li |
| 刊名 | acs appl mater interfaces
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 8期号:24页码:15574-15581 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27916]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yongtao Li,Yan Wang,Le Huang,et al. Anti-ambipolar Field-Effect Transistors Based On Few-Layer 2D Transition Metal Dichalcogenides[J]. acs appl mater interfaces,2016,8(24):15574-15581. |
| APA | Yongtao Li.,Yan Wang.,Le Huang.,Xiaoting Wang.,Xingyun Li.,...&Jingbo Li.(2016).Anti-ambipolar Field-Effect Transistors Based On Few-Layer 2D Transition Metal Dichalcogenides.acs appl mater interfaces,8(24),15574-15581. |
| MLA | Yongtao Li,et al."Anti-ambipolar Field-Effect Transistors Based On Few-Layer 2D Transition Metal Dichalcogenides".acs appl mater interfaces 8.24(2016):15574-15581. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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