InAs homoepitaxy and InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes on InAs substrate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wei Xiang ; Guowei Wang ; Hongyue Hao ; Yongping Liao ; Xi Han ; Lichun Zhang ; Yingqiang Xu ; Zhengwei Ren ; Haiqiao Ni ; Zhenhong He ; Zhichuan Niu |
| 刊名 | journal of crystal growth
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 443页码:85-89 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27999]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei Xiang,Guowei Wang,Hongyue Hao,et al. InAs homoepitaxy and InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes on InAs substrate[J]. journal of crystal growth,2016,443:85-89. |
| APA | Wei Xiang.,Guowei Wang.,Hongyue Hao.,Yongping Liao.,Xi Han.,...&Zhichuan Niu.(2016).InAs homoepitaxy and InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes on InAs substrate.journal of crystal growth,443,85-89. |
| MLA | Wei Xiang,et al."InAs homoepitaxy and InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes on InAs substrate".journal of crystal growth 443(2016):85-89. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。