Proper In deposition amount for on-demand epitaxy of InAs/GaAs single quantum dots
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiang-Jun Shang ; Jian-Xing Xu ; Ben Ma ; Ze-Sheng Chen ; Si-Hang Wei ; Mi-Feng Li ; Guo-Wei Zha ; Li-Chun Zhang ; Ying Yu ; Hai-Qiao Ni ; Zhi-Chuan Niu |
| 刊名 | chinese physics b
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 25期号:10页码:107805 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27822]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiang-Jun Shang,Jian-Xing Xu,Ben Ma,et al. Proper In deposition amount for on-demand epitaxy of InAs/GaAs single quantum dots[J]. chinese physics b,2016,25(10):107805. |
| APA | Xiang-Jun Shang.,Jian-Xing Xu.,Ben Ma.,Ze-Sheng Chen.,Si-Hang Wei.,...&Zhi-Chuan Niu.(2016).Proper In deposition amount for on-demand epitaxy of InAs/GaAs single quantum dots.chinese physics b,25(10),107805. |
| MLA | Xiang-Jun Shang,et al."Proper In deposition amount for on-demand epitaxy of InAs/GaAs single quantum dots".chinese physics b 25.10(2016):107805. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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