Charge trap memory based on few-layer black phosphorus
文献类型：期刊论文
| 作者 | Qi Feng ; Faguang Yan ; Wengang Luo ; Kaiyou Wang |
| 刊名 | nanoscale
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 8期号:5页码:2686-2692 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28039]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Qi Feng,Faguang Yan,Wengang Luo,et al. Charge trap memory based on few-layer black phosphorus[J]. nanoscale,2016,8(5):2686-2692. |
| APA | Qi Feng,Faguang Yan,Wengang Luo,&Kaiyou Wang.(2016).Charge trap memory based on few-layer black phosphorus.nanoscale,8(5),2686-2692. |
| MLA | Qi Feng,et al."Charge trap memory based on few-layer black phosphorus".nanoscale 8.5(2016):2686-2692. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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