Characterization of background carriers in InAs/GaSb quantum well
文献类型：期刊论文
| 作者 | Junbin Li ; Xiaoguang Wu ; Guowei Wang ; Yingqiang Xu ; Zhichuan Niu ; Xinhui Zhang |
| 刊名 | journal of applied physics
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 119期号:9页码:095710 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28053]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Junbin Li,Xiaoguang Wu,Guowei Wang,et al. Characterization of background carriers in InAs/GaSb quantum well[J]. journal of applied physics,2016,119(9):095710. |
| APA | Junbin Li,Xiaoguang Wu,Guowei Wang,Yingqiang Xu,Zhichuan Niu,&Xinhui Zhang.(2016).Characterization of background carriers in InAs/GaSb quantum well.journal of applied physics,119(9),095710. |
| MLA | Junbin Li,et al."Characterization of background carriers in InAs/GaSb quantum well".journal of applied physics 119.9(2016):095710. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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